可檢測基體

鐵基、銅基、鋁基、鎳基、鈷基、鎂基、鈦基、鋅基、鉛基、錫基、銀基。

光學系統(tǒng)

帕型-龍格 羅蘭圓全譜真空型光學系統(tǒng)

波長范圍

140~680nm

光柵焦距

401mm

探 測 器

高性能CMOS陣列/CCD陣列

光源類型

數(shù)字光源，高能預燃技術（HEPS）

放電頻率

100-1000Hz

放電電流

大500A

工作電源

AC220V 50/60Hz 1200W

儀器尺寸

780*565*360mm

儀器重量

約80kg

檢測時間

依據樣品類型而定，一般20S左右

電極類型

鎢材噴射電極

分析間隙

4mm

其他功能

真空，溫度，軟件自動控 壓力，通訊監(jiān)測

采用高精度的CMOS元件可準確測定非金屬元素如C、P、S、As、B、N以及各種金屬元素含量；

測定結果準確，重復性及長期穩(wěn)定性好。

自動光路校準

自動光路校準，光學系統(tǒng)自動進行譜線掃描，確保接收的正確性，免除繁瑣的波峰掃描工作；

儀器自動識別特定譜線與原存儲線進行對比，確定漂移位置，找出分析線當前的像素位置進行測定。

插拔式透鏡設計

真空光學系統(tǒng)采用*的入射窗與真空隔離，可在真空系統(tǒng)工作狀態(tài)下進行操作，光學透鏡采用插拔式透鏡結構，日常清洗維護方便快捷。

真空室一體化

*的光室結構設計，使真空室容積更小，抽真空時間僅普通光譜儀的1/2；

真空室一體化設計及高精密的加工，使真空保持的更加持久。

真空防返油技術

多級隔離的真空防返油技術，采用真空壓差閥門保證真空泵不工作時真空光室與真空*隔離

中間增加了真空濾油裝置，確保真空泵中油不進入真空室，保障CMOS檢測器及光學元件在可靠環(huán)境中工作。

開放式激發(fā)臺

開放式激發(fā)臺機靈活的樣品夾設計，以滿足客戶現(xiàn)場的各種形狀大小的樣品分析；

配合使用小樣品夾具，線材低分析可達到3mm。

噴射電極技術

采用*的噴射電極技術，使用鎢材料電極，在激發(fā)狀態(tài)下，電極周圍會形成氬氣噴射氣流，這樣在激發(fā)過程中激發(fā)點周圍不會與外界空氣接觸，提高激發(fā)精度

配上*氬氣氣路設計，大大降低了氬氣使用量，也降低客戶使用成本。

集成氣路模塊

氣路系統(tǒng)采用氣路模塊免維護設計，替代電磁閥和流量計，電極自吹掃功能，為激發(fā)創(chuàng)造了良好的環(huán)境。

數(shù)字化激發(fā)光源

數(shù)字激發(fā)光源，采用等離子激發(fā)光源，超穩(wěn)定能量釋放在氬氣環(huán)境中激發(fā)樣品；

全數(shù)字激發(fā)脈沖，確保激發(fā)樣品等離子體超高分辨率和高穩(wěn)定率輸出；

可任意調節(jié)光源的各項參數(shù)，滿足各種不同材料的激發(fā)要求。

高速數(shù)據采集

儀器采用高性能CMOS檢測元件，具有每塊CMOS單獨超高速數(shù)據采集分析功能，并能自動實時監(jiān)測控制光室溫度、真空度、氬氣壓力、光源、激發(fā)室等模塊的運行狀態(tài)。

以太數(shù)據傳輸

計算機和光譜儀之間使用以太網卡和TCP/IP協(xié)議，避免電磁干擾，光纖老化的弊端，同時計算機和打印機*外置，方便升級和更換；

可以遠程監(jiān)控儀器狀態(tài)，多通路操控系統(tǒng)控制和監(jiān)控所有的儀器參數(shù)。

預制工作曲線

備有不同材質和牌號的標樣庫，儀器出廠時工廠預制工作曲線，方便安裝調試和及時投入生產；

根據元素和材質對應的分析程序而稍有差異，激發(fā)和測試參數(shù)儀器出廠時已經調節(jié)好，根據分析程序可自動選擇合適的測試條件；

技術規(guī)格中附有分析范圍（并可根據用戶提供標樣免費繪制或延長工作曲線）。

分析速度快

分析速度快，僅需20秒即可完成一次分析；

針對不同的分析材料，通過設置預燃時間及測量時間，使儀器用短時間達到良好的分析效果。

多基體分析

光路設計采用羅蘭圓結構，檢測器上下交替排列，保證接收全部的譜線，不增加硬件設施，即可實現(xiàn)多基體分析；

便于根據生產的需要增加基體及材料種類和分析元素（無硬件成本）。

軟件中英文系統(tǒng)

儀器操作軟件*兼容于Windows7/8/10系統(tǒng)；

軟件操作簡單，即使沒有任何光譜儀知識及操作經驗的人員只需經過簡單的知識培訓即可上手使用。